LN2302LT1G, 20V 2.3A 60m-@4.5V,2.8A 900mW 1.2V@250uA N Channel SOT-23E MOSFETs
3460 шт., срок 7 недель
21 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
13 руб.
от 300 шт. —
11 руб.
от 3000 шт. —
7.39 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 210 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 2.3A 60mΩ@4.5V,2.8A 900mW 1.2V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 3.5A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 36mΩ@10V, 3.5A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 311pF |
Power Dissipation (Pd) | 350mW |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 88pF |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.1nC |
Type | N Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 2.3A |
Manufacturer | LRC |
Package / Case | SOT-23(SOT-23-3) |
Packaging | Tape и Reel(TR) |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 900mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 60mΩ 2.8A, 4.5V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.2V 250uA |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet LN2302LT1G
pdf, 623 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.