LMBT3906TT1G, 40V 200mW 100@10mA,1V 200mA 250MHz 400mV@50mA,5mA PNP -55-~+150-@(Tj) SC-89 Bipolar Transistors - BJT
15260 шт., срок 7 недель
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
от 600 шт. —
4.70 руб.
от 3000 шт. —
4.13 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
40V 200mW 100@10mA,1V 200mA PNP SC-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
| Maximum DC Collector Current | 200mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet LMBT3906TT1G
pdf, 203 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
