LMBT2222AWT1G, 40V 150mW 40@500mA,10V 600mA 300MHz 1V@500mA,50mA NPN -55-~+150-@(Tj) SC-70 Bipolar Transistors - BJT

1760 шт., срок 7 недель
8 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.5 руб.
от 600 шт.3.70 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015804202
Артикул: LMBT2222AWT1G
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

40V 150mW 40@500mA,10V 600mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 600mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) -
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 40V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1V@500mA, 50mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 40@500mA, 10V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 150mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 300MHz
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 62 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.