LMBT2222AWT1G, 40V 150mW 40@500mA,10V 600mA 300MHz 1V@500mA,50mA NPN -55-~+150-@(Tj) SC-70 Bipolar Transistors - BJT
1760 шт., срок 7 недель
8 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
от 600 шт. —
3.70 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
40V 150mW 40@500mA,10V 600mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 600mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@500mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 40@500mA, 10V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 300MHz |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 62 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.