WSD2018, 20V 12A 15m-@4.5V,5A 1.5W 1V@250uA N Channel DFNWB-6L-J(2x2) MOSFETs
125 шт., срок 7 недель
51 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
32 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 255 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
PDFN-6-EP(2x2) old batch ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 11A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 9.5mΩ@4.5V, 5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 700mV@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.177nF@4V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 138pF@4V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 16nC@5V |
| Type | N Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.5W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 15mО© @ 5A,4.5V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet WSD2018
pdf, 2643 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
