MJ15016, TO-3 Bipolar Transistors - BJT
19 шт., срок 7 недель
530 руб.
от 10 шт. —
360 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 530 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
TO-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 15A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 120V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 5V@7A, 15A |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 10@4A, 2V |
| Operating Temperature | -65℃~+200℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 115W |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 18MHz |
| Вес, г | 12.08 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
