HE8550G-D-AE3-R, Транзистор биполярный BJT 100 нА 25 В 350мВт 160 при 100 мА, 1 В 1,5 А 190 МГц 280 мВ при 800 мА, 80 мА PNP +150-@(Tj) SOT-
2720 шт., срок 7 недель
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
от 600 шт. —
4.50 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
25V 350mW 160@100mA,1V 1.5A PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 280mV@800mA, 80mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 190MHz |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 213 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
