MTC3587DL8, DFNWB-8-EP(2x3) MOSFETs
2843 шт., срок 7 недель
120 руб.
от 10 шт. —
85 руб.
от 30 шт. —
67 руб.
от 100 шт. —
58.48 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
DFNWB-8-EP(2x3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | - |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4.9A,3.9A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.5W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 45mО© @ 4.4A,4.5V;80mО© @ 3.2A,4.5V |
| Transistor Polarity | N & P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.2V @ 250uA |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet MTC3587DL8
pdf, 512 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
