NCE2301, 20V 3A 110m-@4.5V,3A 1W 1V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs
1780 шт., срок 6 недель
14 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
9 руб.
от 600 шт. —
7.40 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
20V 3A 110mΩ@4.5V,3A 1W 1V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 57mΩ@4.5V, 3A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 700mV@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 405pF |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 55pF |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 3.3nC |
| Type | P Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 3A |
| Manufacturer | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Package / Case | SOT-23(SOT-23-3) |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 110mΩ @ 3A, 4.5V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet NCE2301
pdf, 241 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
