MMDT3904, SOT-363 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
15840 шт., срок 6 недель
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
от 600 шт. —
3.90 руб.
от 3000 шт. —
3.44 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 180 руб.
Описание
SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 200mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@5mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | 2 NPN |
Transition Frequency (fT) | 300MHz |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1189 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.