2N5551S-RTK/P, 50nA 160V 350mW 80@10mA,5V 600mA 100MHz 200mV@50mA,5mA +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
2350 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
160V 350mW 80@10mA,5V 600mA SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transistor Type | - |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet 2N5551S-RTK/P
pdf, 354 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
