2SD1616AG-G-AB3-R, 100nA 60V 750mW 200@100mA,2V 1A 160MHz 150mV@1A,50mA NPN +150-@(Tj) SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT
9910 шт., срок 7 недель
18 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
12 руб.
от 300 шт. —
9.80 руб.
от 1000 шт. —
8.81 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
60V 750mW 200@100mA,2V 1A NPN SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@1A, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@100mA, 2V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 750mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 160MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Pd - Power Dissipation | 750mW |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 256 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
