2SB1132-R, SOT-89 Bipolar Transistors - BJT
950 шт., срок 7 недель
10 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
8 руб.
от 300 шт. —
5.80 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 100 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 32V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 82@100mA, 3V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transistor Type | - |
| Transition Frequency (fT) | 150MHz |
| Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2765 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
