FDN337N, SOT-23 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6080 шт., срок 7 недель
17 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
от 300 шт. —
8.20 руб.
от 3000 шт. —
6.32 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 170 руб.
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min | 13 S |
| Id - Continuous Drain Current | 2.2 A |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SSOT-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | FDN337N_NL |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 65 mOhms |
| Rise Time | 10 ns |
| Series | FDN337N |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | FET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 17 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 393 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
