2SB772SG-P-AB3-R, 1uA 30V 500mW 160@1A,2V 3A 80MHz 300mV@2A,200mA PNP +150-@(Tj) SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT

3955 шт., срок 7 недель
29 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.18 руб.
от 150 шт.15 руб.
от 500 шт.12.73 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 145 руб.
Номенклатурный номер: 8015886005
Артикул: 2SB772SG-P-AB3-R

Описание

30V 500mW 160@1A,2V 3A PNP SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 3A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 1uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 30V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@2A, 200mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 160@1A, 2V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 500mW
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) 80MHz
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet
pdf, 257 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.