2N2222A, TO-92 Bipolar Transistors - BJT
5550 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
от 2000 шт. —
2.90 руб.
от 5000 шт. —
2.59 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
40V 625mW 100@150mA,10V 600mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 800mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@50mA, 500mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 10V |
Operating Temperature | -65℃~+200℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 500mW |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.18 |
Техническая документация
Datasheet 2N2222A
pdf, 1044 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.