2N5401S-RTK/P, 50nA 150V 350mW 60@10mA,5V 600mA 100MHz 500mV@50mA,5mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
21200 шт., срок 7 недель
8 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
от 600 шт. —
3.70 руб.
от 3000 шт. —
3.15 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
150V 350mW 60@10mA,5V 600mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 150V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 60@10mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 150V |
| Manufacturer | KEC Semicon |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Package / Case | SOT-23(SOT-23-3) |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet 2N5401S-RTK/P
pdf, 344 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
