4N80L-TN3-R, 800V 4A 50W 3-@10V,2A 5V@250uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
5335 шт., срок 7 недель
110 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
67 руб.
от 150 шт. —
58 руб.
от 500 шт. —
47.47 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 550 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
800V 4A 50W 3Ω@10V,2A 5V@250uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3Ω@10V, 2A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 50W |
| Type | N Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 4A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 50W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3Ω 2A, 10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 5V 250uA |
| Вес, г | 0.51 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 232 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
