3DD13005ED, TO-126 Bipolar Transistors - BJT
963 шт., срок 6 недель
52 руб.
от 10 шт. —
35 руб.
от 30 шт. —
26 руб.
от 100 шт. —
18.62 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 52 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
TO-126 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 4A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 400V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@2A, 400mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 20@500mA, 10V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 40W |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 4MHz |
Вес, г | 0.57 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 773 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.