FDN352AP, SOT-23 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9620 шт., срок 7 недель
23 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
16 руб.
от 150 шт. —
12 руб.
от 500 шт. —
9.72 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 115 руб.
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 15 ns |
| Forward Transconductance - Min | 2 S |
| Id - Continuous Drain Current | 1.3 A |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SSOT-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | FDN352AP_NL |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 180 mOhms |
| Rise Time | 15 ns |
| Series | FDN352AP |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 10 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet FDN352AP
pdf, 238 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
