2SB1386-R, 500nA 20V 500mW 82@500mA,2V 5A 120MHz 350mV@4A,100mA +150-@(Tj) SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT
105 шт., срок 7 недель
32 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
19 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
PNP SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 5A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 350mV@4A, 100mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 82@500mA, 2V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 500mW |
Transistor Type | - |
Transition Frequency (fT) | 120MHz |
Вес, г | 0.13 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 817 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.