S8550-H, 100nA 25V 300mW 120@50mA,1V 500mA 150MHz 600mV@500mA,50mA PNP -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
300 шт., срок 7 недель
5 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 250 руб.
Описание
25V 300mW 200@50mA,1V 500mA PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 625mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 318 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
