SE01P13K, 100V 13A 200m-@10V,16A 40W 3V@250uA P Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
3215 шт., срок 6 недель
120 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
76 руб.
от 150 шт. —
66 руб.
от 500 шт. —
54.02 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 600 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
100V 13A 110mΩ@10V,16A 40W 3V@250uA P Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 13A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@10V, 16A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 40W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | P Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 13A |
| Manufacturer | SINO-IC |
| Package / Case | TO-252-2(DPAK) |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 40W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 200mΩ 16A, 10V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V 250uA |
| Вес, г | 0.32 |
Техническая документация
Datasheet SE01P13K
pdf, 453 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
