SKM100GB12F4, SKM100GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 100 A 1200 V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт., срок 7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
40 520 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 40 520 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Semikron SEMITRANS series IGBT module has 1200 v collector to emitter voltage. It is mainly used in UPS, electronic welders, inductive heating, switched mode power supplies.
Технические параметры
| Configuration | Half Bridge |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±15.0V |
| Number of Transistors | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 536 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
