AO7800, Транзистор МОП n-канал.x2, полевой, 20В, 700мА, 190мВт, SC-70-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
от 10 шт. —
140 руб.
от 30 шт. —
111 руб.
от 100 шт. —
93.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Описание Полевой транзистор AO7800 от производителя ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент для SMD монтажа. Обладает током стока 0,7 А и напряжением сток-исток 20 В, а его мощность составляет 0,19 Вт. Устройство имеет компактный корпус SC-70-6, что делает его идеальным выбором для различных областей применения, где требуется надежный и эффективный компонент для управления мощностью. Модель AO7800 гарантирует высокую производительность и долговечность в вашем проекте. Использование модели AO7800 станет ключевым фактором для повышения эффективности и надежности ваших электронных устройств. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.7 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Мощность, Вт | 0.19 |
| Корпус | SC-70-6 |
Технические параметры
| Automotive | Unknown |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 0.9 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 300@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??8 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 300 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Supplier Package | SC-70 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 1.57@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 101@10V |
| Case | SC70-6 |
| Drain current | 0.7A |
| Drain-source voltage | 20V |
| Gate charge | 1.57nC |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.19W |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Документация
pdf, 373 КБ
