IRFR3504ZTRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 40В 42A 90Вт 0,009Ом TO252AA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Описание
The Infineon Strong IRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 77 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.009 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Вес, г | 0.44 |
Техническая документация
IRFR3504ZPBF Datasheet
pdf, 331 КБ
