AOSP21357, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -12,5А, 2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 30 шт. —
106 руб.
от 100 шт. —
95.56 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -12,5А, 2Вт, SO8 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Drain current | -12.5A |
| Drain-source voltage | -30V |
| Gate charge | 25nC |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 8.5mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 2W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 295 КБ
