AOTS21115C, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 20В; 6,6А; 2,5Вт; TSOP6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт. —
79 руб.
от 30 шт. —
67 руб.
от 100 шт. —
54.51 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
20V 6.6A 40mΩ@6.6A,4.5V 2.5W 950mV@250uA P Channel TSSOP-6 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 6.6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@6.6A, 4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 950mV@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 930pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17nC@4.5V |
| Type | P Channel |
| Case | TSOP6 |
| Drain current | 6.6A |
| Drain-source voltage | 20V |
| Gate charge | 17nC |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 40mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 2.5W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 0.04 |
