AUIRF8739L2TR, DirectFET MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 170 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 170 руб.
Описание
The Infineon single n channel HEXFET power MOSFET in a DirectFET L8 package allows repetitive avalanche up to Tjmax.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 545 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0006 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DirectFET |
| Pin Count | 15 |
| Series | AUIRF |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 0.24 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 702 КБ
