2N3055, TO-3 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
51 шт., срок 6 недель
300 руб.
от 10 шт. —
210 руб.
от 25 шт. —
189 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения2
Технические параметры
| Граничная частота ft, МГц | 2.5 |
| Коэффициент усиления hFE макс. | 70 |
| Коэффициент усиления hFE мин. | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 115 |
| Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В | 100 |
| Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В | 70 |
| Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В | 7 |
| Максимальный постоянный ток коллектора, А | 15 |
| Тип проводимости | NPN |
| Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В | 3 |
| Вес, г | 10 |
Техническая документация
Документация
pdf, 613 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
