2N3055, TO-3 Bipolar Transistors - BJT

2N3055, TO-3 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
50 шт., срок 6 недель
290 руб.
от 10 шт.200 руб.
от 25 шт.180 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8017658225
Артикул: 2N3055

Технические параметры

Граничная частота ft, МГц 2.5
Коэффициент усиления hFE макс. 70
Коэффициент усиления hFE мин. 20
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 115
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 100
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 70
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 7
Максимальный постоянный ток коллектора, А 15
Тип проводимости NPN
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В 3
Вес, г 10

Техническая документация

Документация
pdf, 613 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.