TK72E08N1,S1X(S, TO-220 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 7 недель
380 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 380 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 157 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.3 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 192 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | U-MOSVIII-H |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Width | 4.45mm |
| Вес, г | 6.32 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TK72E08N1,S1X
pdf, 246 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
