MT29F4G01ABBFD12-AAT:F, NAND Flash SLC 4G 4GX1 TBGA
см. техническую документацию
Описание
• Single-level cell (SLC) technology, standard and extended SPI-compatible serial bus interface
• User-selectable internal ECC supported, array performance, read page cache mode
• Read unique ID and parameter page, automatic device initialization after power-up
• Blocks 7: 0 for each die are valid when shipped from factory with ECC enabled
• Software write protection with lock register, hardware write protection to freeze BP bits
• Lock tight to freeze BP bits during one power cycle, permanent block lock protection
• OTP space: 10 pages per die one-time programmable NAND Flash memory area, AEC-Q100 compliant
• 4Gb density, 1bit device width, SLC level, quality and reliability
• 1.8V (1.7-1.95V) operating voltage, SPI interface
• 24-ball TBGA (6mm x 8mm x 1.2mm) package, automotive operating temperature range from -40 to 105°C
Технические параметры
| IC Case / Package | TBGA |
| Interfaces | SPI |
| Memory Configuration | 4G x 1bit |
| Количество Выводов | 24вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | 1.8V SLC NAND Flash Memories |
| Максимальная Рабочая Температура | 105°C |
| Максимальная Тактовая Частота | 83МГц |
| Максимальное Напряжение Питания | 1.95В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 1.7В |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Номинальное Напряжение Питания | 1.8В |
| Плотность Памяти | 4Гбит |
| Тип Flash Памяти | SLC NAND |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
