SI5618A-TP, MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт. —
98 руб.
от 100 шт. —
64 руб.
от 1000 шт. —
34.84 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Drain current | -1.6A |
| Drain-source voltage | -60V |
| Gate charge | 10.4nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.24Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.2W |
| Pulsed drain current | -8A |
| Technology | Trench |
| Type of transistor | P-MOSFET |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 493 КБ
