AOSD62666E, Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 60В, 7,5А, 1,6Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 30 шт. —
87 руб.
от 100 шт. —
72.37 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 60В, 7,5А, 1,6Вт, SO8 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Drain current | 7.5A |
| Drain-source voltage | 60V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate charge | 6.5nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 14.5mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.6W |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 380 КБ
