QPD2080D, RF JFET Transistors 0.80mm Pwr pHEMT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 шт., срок 7-9 недель
3 510 руб.
Кратность заказа 100 шт.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 351 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
QPD2080D 800µm Discrete GaAs pHEMTQorvo QPD2080D 800µm Discrete GaAs pHEMT (Pseudomorphic High-Electron-Mobility-Transistor) features a DC to 20GHz operating frequency. The QPD2080D typically provides 29.5dBm of output power at P1dB with a gain of 11.5dB and 56% power-added efficiency at 1dB compression. This performance makes the QPD2080D appropriate for high-efficiency applications.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 100 |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Packaging: | Reel |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Series: | QPD2080D |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Type: | pHEMT |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
