C2M0280120D, MOSFET, N-CH, 1.2KV, 10A, TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
47 шт., срок 8-10 недель
2 340 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
2 140 руб.
от 10 шт. —
2 000 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 4 680 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
1.2kV 10A 62.5W 370mΩ@6A,20V 2.8V@1.25mA null TO-247-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.28Ом |
| Power Dissipation | 62.5Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 370mΩ@6A, 20V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.8V@1.25mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 259pF@1000V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 62.5W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20.4nC@20V |
| Type | null |
| Вес, г | 8.657 |
Техническая документация
Wolfspeed C2M0280120D
pdf, 783 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
