STF45N65M5, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ V, полевой, 650В, 22А, 40Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 шт., срок 7 недель
1 380 руб.
от 10 шт. —
1 080 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 380 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ V, полевой, 650В, 22А, 40Вт, TO220FP Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.067Ом |
Power Dissipation | 40Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
Непрерывный Ток Стока | 35А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 40Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.067Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 210 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 82 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 78 mOhms |
Series: | Mdmesh M5 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
Maximum Drain Source Resistance | 78 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 710 V |
Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 40 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh M5 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Вес, г | 1.72 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 573 КБ
Datasheet
pdf, 1662 КБ
Datasheet STP45N65M5
pdf, 1681 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.