MS1001, RF Bipolar Transistors RF Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 7-9 недель
19 640 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 19 640 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
Технические параметры
| Brand: | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 18 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 20 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 20 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5 |
| Manufacturer: | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Operating Frequency: | 30 MHz |
| Package / Case: | M174 |
| Packaging: | Tray |
| Pd - Power Dissipation: | 270 W |
| Product Category: | RF Bipolar Transistors |
| Product Type: | RF Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Transistor Type: | Bipolar Power |
| Type: | RF Bipolar Power |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
