QPD1425L, RF MOSFET Transistors 1.2-1.4 GHz discrete
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
136 500 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 136 500 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
QPD1425/QPD1425L GaN RF Power TransistorsQorvo QPD1425/QPD1425L GaN RF Power Transistors are 375W discrete GaN on SiC HEMTs that operate from DC to 2GHz. The power and efficiency can be optimized under high drain bias operating conditions. Optimization potentially lowers system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs. The Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN RF Power Transistors are housed in an industry-standard air cavity package and supports both pulsed and CW operation.
Технические параметры
Brand: | Qorvo |
Gain: | 20.6 dB |
Id - Continuous Drain Current: | 19 A |
Manufacturer: | Qorvo |
Maximum Operating Temperature: | +85 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | Flange Mount |
Operating Frequency: | 2 GHz |
Output Power: | 56.3 dBm |
Package / Case: | NI-400 |
Product Category: | RF MOSFET Transistors |
Product Type: | RF MOSFET Transistors |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | GaN-on-SiC |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 65 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2030 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.