BSS84A-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,17А; Idm: -0,68А; 0,225Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 руб.
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
60V 170mA 8Ω@10V,100mA 225mW 2V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 170mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@10V, 100mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 30pF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF@25V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | P Channel |
| Case | SOT23 |
| Drain current | -0.17A |
| Drain-source voltage | -60V |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 10Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.225W |
| Pulsed drain current | -0.68A |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet BSS84A-TP
pdf, 283 КБ
