IRFR4105ZTRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 55В 30A 48Вт 0,0245Ом TO252AA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
от 10 шт. —
180 руб.
от 30 шт. —
149 руб.
от 100 шт. —
131.79 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 55В 30A 48Вт 0,0245Ом TO252AA
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Fall Time: | 24 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 48 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 27 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24.5 mOhms |
| Rise Time: | 40 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Вес, г | 0.53 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 339 КБ
