IRFR7440TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 40В 90A 140Вт 0,0024Ом TO252AA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 30 шт. —
90 руб.
от 100 шт. —
74.68 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 руб.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 40В 90A 140Вт 0,0024Ом TO252AA
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 90A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 140W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.4mО© @ 90A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3.9V @ 100uA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Maximum Continuous Drain Current | 180 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.4 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 140 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 89 nC @ 20 V |
| Width | 2.39mm |
| Вес, г | 0.49 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFR7440TRPBF
pdf, 292 КБ
