PUMB15,115
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 6-8 недель
45 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
38 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 450 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8022668501
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Описание Транзистор: PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 300мВт, SOT363 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Другие названия товара № | PUMB15 T/R |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 4.7 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
| Power Dissipation | 300мВт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 6 Выводов |
| Корпус РЧ Транзистора | TSSOP |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
| Полярность Цифрового Транзистора | Двойной PNP |
| Резистор База-эмиттер R2 | 4.7кОм |
| Резистор На входе Базы R1 | 4.7кОм |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSSOP |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@10mA, 0.5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 30@10mA, 5V |
| Input Resistor | 4.7kΩ |
| Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce) | 1.1V@100uA, 5V |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | 1.9V@20mA, 0.3V |
| Operating Temperature | - |
| Output Voltage (VO(on)@Io/Ii) | - |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Resistor Ratio | 1 |
| Transistor Type | 2 PNP-Pre-Biased |
| Transition Frequency (fT) | 180MHz |
Техническая документация
Nexperia PUMB15,115
pdf, 911 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
