NCE01P18D
559 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
90 руб.
от 30 шт. —
78 руб.
от 100 шт. —
67.19 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8022716027
Бренд: Wuxi NCE Power Semiconductor
Описание
100V 18A 85mΩ@10V,16A 70W 1.9V@250uA P Channel TO-263-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 18A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@10V, 16A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.81nF@50V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 70W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 125pF@50V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 70nC@10V |
| Type | P Channel |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
