HSBB02P15
2554 шт., срок 7-9 недель
76 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
59 руб.
от 30 шт. —
51 руб.
от 100 шт. —
41.26 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 380 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8022723273
Бренд: HUASHUO
Описание
150V 2A 640mΩ@10V,1A 7.7W 3V@250uA P Channel PQFN-8(3x3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 640mΩ@10V, 1A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 400pF@75V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 7.7W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 23pF@75V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.5nC@10V |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 835 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
