8550SG-D-AE3-R
8625 шт., срок 7-9 недель
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 160 шт.
от 500 шт. —
1.68 руб.
Добавить в корзину 160 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 350mW 120@150mA,1V 700mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 700mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@150mA, 1V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 350mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.