2SC2712G-Y-AE3-R
2350 шт., срок 7-9 недель
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 400 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
50V 150mW 120@2mA,6V 150mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@2mA, 6V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 80MHz |
Техническая документация
Datasheet 2SC2712G-Y-AE3-R
pdf, 213 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
