JCS4N65VC-IPAK
2698 шт., срок 7-9 недель
63 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
50 руб.
от 30 шт. —
44 руб.
от 100 шт. —
36.62 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 378 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8022790308
Бренд: Jilin Sino-Microelectronics
Описание
650V 4A 122W 2.6Ω@10V,2A 4V@250uA N Channel TO-251 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 4A(Tc) |
| Manufacturer | Jilin Sino-Microelectronics |
| Package / Case | IPAK |
| Packaging | Tube-packed |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 122W(Tc) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.6Ω @ 2A, 10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.6Ω@10V, 2A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 122W |
| Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet JCS4N65RC-DPAK
pdf, 1617 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
