STP60NF06L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
145 шт., срок 7-9 недель
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
200 руб.
от 50 шт. —
171 руб.
от 100 шт. —
146.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 42А, 110Вт, TO220-3 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Qg - заряд затвора | 35 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V, + 15 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 220 ns |
| Время спада | 30 ns |
| Высота | 9.15 mm |
| Длина | 10.4 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 20 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STP60NF06L |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.6 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 14 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -15 V, +15 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | STripFET II |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| Width | 4.6mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 514 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STP60NF06L
pdf, 493 КБ
STP60NF06L
pdf, 498 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
