BPW 34
![Фото 1/8 BPW 34](https://static.chipdip.ru/lib/811/DOC043811371.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/781/DOC002781988.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/826/DOC034826689.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/811/DOC043811395.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/242/DOC004242656.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/864/DOC018864901.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/886/DOC024886111.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/826/DOC034826693.jpg)
477 шт., срок 7-9 недель
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
120 руб.
от 30 шт. —
99 руб.
от 100 шт. —
84.94 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 450 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Точечный ИК-фотодиод, DIL, THT, 850нм, 400-1100нм, 60°, 2нА, 150мВт
Технические параметры
Dark Current | 2nA |
Maximum Operating Temperature | 85в„ѓ |
Minimum Operating Temperature | -40в„ѓ |
Spectral Range | 400nm~1100nm |
Wavelength | 850nm |
Brand | Vishay Semiconductors |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 100 ns |
Half Intensity Angle Degrees | 65 deg |
Height | 2 mm |
Length | 4.5 mm |
Manufacturer | Vishay |
Mounting Style | Through Hole |
Noise Equivalent Power - NEP | 4E-14 W/sqrt Hz |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 215 mW |
Peak Wavelength | 900 nm |
Photocurrent | 70 uA |
Product | PIN Photodiodes |
Product Category | Photodiodes |
Rise Time | 100 ns |
RoHS | Details |
Vr - Reverse Voltage | 60 V |
Width | 4.3 mm |
Макс. спектральная чувствительность, нм | 950 |
Макс.обратное напряжение, В | 60 |
Обратный темновой ток, нА | 2 |
Тип корпуса | ТО-5 |
Тип фотодиода | PIN |
Угол получувствительности | 65 |
Amplifier Function | No |
Breakdown Voltage | 60V |
Diode Material | Si |
Maximum Wavelength Detected | 1100nm |
Minimum Wavelength Detected | 430nm |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 2 |
Polarity | Forward |
Series | BPW |
Spectrums Detected | Infrared, Visible Light |
Typical Fall Time | 100ns |
Typical Rise Time | 100ns |
Wavelength of Peak Sensitivity | 900nm |
Automotive | No |
ECCN (US) | EAR99 |
Maximum Dark Current (nA) | 30 |
Maximum Fall Time (ns) | 100(Typ) |
Maximum Light Current (uA) | 75(Typ) |
Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 215 |
Maximum Reverse Voltage (V) | 60 |
Maximum Rise Time (ns) | 100(Typ) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Through Hole |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Peak Wavelength (nm) | 900 |
Photodiode Material | Si |
Photodiode Type | PIN |
Pin Count | 2 |
PPAP | No |
Type | Chip |
Maximum Dark Current - (nA) | 30 |
Maximum Fall Time - (ns) | 20 |
Maximum Forward Voltage - (V) | 1.3 |
Maximum Light Current - (uA) | 80 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 150 |
Maximum Reverse Voltage - (V) | 32 |
Maximum Rise Time - (ns) | 20 |
Military | No |
Operating Temperature - (??C) | -40~100 |
Peak Wavelength - (nm) | 850 |
Photo Sensitivity | 0.62A/W |
Standard Package Name | DIP |
Supplier Package | DIL |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 108 КБ
Datasheet
pdf, 114 КБ
Datasheet BPW34
pdf, 607 КБ
Datasheet BPW34
pdf, 112 КБ
Документация
pdf, 108 КБ
bpw34
pdf, 121 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.