K8550SCD
2200 шт., срок 7-9 недель
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 400 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
25V 350mW 500mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 150mA |
Pd - Power Dissipation | 350mW |
Transistor Type | PNP |
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA, 50mA |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 350mW |
Transition Frequency (fT) | 200MHz |
Техническая документация
Datasheet K8550SCD
pdf, 982 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.